Passo A Passo De Bernoulli Probabilidade

Boneca de como sair bonito nas fotos Da semântica global à imagem de cinema

Neste projeto de ano acadêmico deve desenvolver o grupo da documentação de desenho de um pedaço integrado K 237 AI em um objetivo funcional o pedaço desenvolvido que o ampliador da frequência intermediária representa. O pedaço tem de fazer-se na tecnologia de película fina pelo método de máscaras livres (MCM) na forma do pedaço integrado de um híbrido (GIMS).

Vemos que a desigualdade se executa, por isso estes resistores fazem-se de um material. Para que os resistores fossem escolheremos o material com tão pouco quanto possível como é a grande resistência superficial específica possível (). Vamos parar a escolha no "MLT-3M" material. Este material possui as seguintes características:

Nele o cálculo de resistores do primeiro grupo é completo. Todos os resistores resultaram diretos e não arranjados. Graças a ele os tamanhos de resistores são mínimos que permitirá tê-los em um substrate compactamente e com o maior ponto da integração.

Se coeficiente de forma menos de 10, o resistor de linha direto e se mais de dez, o resistor se produz na forma de um meandro. A preferência dá-se ao resistor direto. Neste caso o resistor produz-se para linhas diretas.

Vemos que a desigualdade se executa, por isso estes resistores fazem-se de um material. Para que os resistores fossem escolheremos o material com tão pouco quanto possível como é a grande resistência superficial específica possível (). Vamos parar a escolha no "KEPMET" material. Este material possui as seguintes características:

Vemos que a desigualdade não se executa, significa todos estes resistores que é impossível fazer de um material. Que todos nós possam fazer resistores, é necessário quebrá-los em dois grupos e para cada grupo para escolher o material.

Aplique uma fotolitografia em que filmes contínuos de materiais TPE se aplicam em um substrate à formação de TPE difícil da grande exatidão, criam uma máscara fotoresistente protetora na sua superfície e os sítios desprotegidos de um filme gravam com água-forte. Há algumas espécies deste método. Por exemplo, rp de uma fotolitografia direta aplicam um filme contínuo do material resistente sobre um dielétrico substrate no começo e criam uma máscara fotoresistente protetora, que envenenam uma camada resistente. Então esta máscara elimina-se e de cima pôs um filme contínuo de metal (por exemplo, alumínio). Depois que a criação da segunda máscara fotoresistente e a gravura do alumínio desprotegido em uma superfície de um substrate lá são resistores recebidos antes, e também os condutores criados e contatam com plataformas fechadas por uma máscara fotoresistente.

O pedaço da fortificação da frequência intermediária (IF) K 237XA2 pode fazer-se na tecnologia de película fina com a aplicação de elementos com dobradiças. O desenho de um pedaço executa-se pelo método de uma máscara livre, assim cada camada da estrutura de película fina põe-se por um clichê especial. Em uma superfície de uns resistores de filme substrate, condensadores, e também contatam com plataformas e as conexões de interelemento criam-se. A tecnologia de filme não fornece a produção de transistores, por isso, os transistores realizam-se na forma dos elementos com dobradiças colados em um pedaço substrate. As conclusões de transistores soldam-se nas plataformas de contato correspondentes.

Nele o cálculo de resistores do segundo grupo é completo. Todos os resistores resultaram diretos e não arranjados. Disso os tamanhos de resistores são mínimos que permitirá tê-los em um substrate compactamente e com o maior ponto da integração.

O objetivo deste projeto de ano acadêmico é o desenvolvimento de um pedaço integrado segundo as exigências fornecidas na especificação. O pedaço executa-se pelo método de máscaras livres na tecnologia de película fina.

Tendo retirado uma máscara desnecessária mais, aplique um filme protetor contínuo em uma superfície (por exemplo, SiO e pela terceira vez crie uma máscara fotoresistente, sítios de pano para lençóis iniciais sobre plataformas de contato. Tendo conservado em escabeche um pano para lençóis nestas partes e tendo retirado uma máscara fotoresistente, receba o pagamento GIMS com elementos de filme e áreas de contato abertas.